| 供應(yīng)商 | 善仁（浙江）新材料科技有限公司 店鋪 |
|---|---|
| 認(rèn)證 | |
| 報(bào)價(jià) | 人民幣 1200.00元 |
| 加工定制 | 是 |
| 熔點(diǎn) | 450℃ |
| 材質(zhì) | 銀 |
| 關(guān)鍵詞 | DTS燒結(jié)銀盤,DTS預(yù)燒結(jié)焊片,DTS燒結(jié)銀系統(tǒng),DTS燒結(jié)銀焊片 |
| 所在地 | 浙江嘉興嘉善縣姚莊鎮(zhèn)寶群東路159號－2二層 |
5年
DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。
終端應(yīng)用市場對于率、高功率密度、節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求日益增強(qiáng)，與此同時(shí)，各國能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進(jìn)，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性，正在不同的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)光發(fā)熱。
目前燒結(jié)銀技術(shù)主要用于對可靠性和散熱高要求的市場，在引線框架制作上除了要提供高可靠度的鍍銀品質(zhì)以符合燒結(jié)銀的搭接技術(shù)以外，由于燒結(jié)銀的膜厚只有20um-50um，不像傳統(tǒng)的錫膏搭接方式可通過錫膏量的調(diào)整補(bǔ)正搭接面平整度不佳造成的搭接問題，燒結(jié)銀的搭接技術(shù)對于搭接處的公共平面度要求公差只有20um，對于這種復(fù)雜的折彎成型式技術(shù)是一大挑戰(zhàn)。
單管封裝中引入擴(kuò)散焊“Diffusion Soldering”，省了芯片與lead frame之間的焊料，優(yōu)化了器件熱阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET單管為例，基于GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片，相比當(dāng)前焊接版的TO247-3/4L，可降低約25%的穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(j-c)，和約45%的瞬態(tài)熱阻。
使用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片使器件結(jié)溫可以超過200°C。因此，GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片可以大幅降低功率限額，或者在確保電流相同的情況下縮小芯片尺寸，從而降低電力成本。
SHAREX的預(yù)燒結(jié)銀焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是結(jié)合了燒結(jié)銀，銅箔和其他材料的一種復(fù)合材料，由以下四個(gè)部分組成：具有鍵合功能的銅箔；預(yù)涂布AS9385系列燒結(jié)銀；燒結(jié)前可選用臨時(shí)固定的膠粘劑；保護(hù)膜或者承載物。
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12000元
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低溫?zé)Y(jié)納米銀膠
2600000元
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導(dǎo)電銀漿
12000元
產(chǎn)品名：導(dǎo)電銀漿
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德國燒結(jié)銀替代SiC碳化硅燒結(jié)銀無壓燒結(jié)銀
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