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1.00元N溝道場效應(yīng)管回收價格表 深圳銘盛電子科技有限公司 銘盛電子大量高價收購個人和廠家積壓或過剩庫存的電子料，電子元器件 二三極管、內(nèi)存、單片機、模塊,顯卡、網(wǎng)卡、芯片、顯示屏01月17日 -
1000.00元回收場效應(yīng)管,MOS管，電源IC 20％ 服務(wù)大眾、信守承諾、估價、方便快捷、嚴(yán)格保密為原則 回收庫存電子電工產(chǎn)品電子料 回收電子料編碼器模塊 回收LED光電設(shè)備電子料 ..10月02日
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1.00元供應(yīng)P&N溝道場效應(yīng)管，本產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)量保證，價格優(yōu)惠，歡迎訂購。09月06日
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深圳市驪微電子科技有限公司是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件及集成電路的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的半導(dǎo)體公司。公司自成立以來，一直本著提供專業(yè)及誠墾的態(tài)度為已任，以技術(shù) 服務(wù)為依托，市09月18日
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FET 類型 N 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 200V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 43A（Tc） 驅(qū)動電壓（大 Rds On，小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻..08月17日
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2N90 Datasheet 2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N90 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide costumers with plana..01月17日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌：美浦森型號：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..10月02日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌：美浦森型號：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..10月02日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù)：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..10月02日
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場效應(yīng)管在不同技術(shù)文獻和應(yīng)用場景中可能有以下多種名稱或分類：1. ?按全稱與縮寫命名??MOSFET?（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）：其英文全稱縮寫，強調(diào)金屬-氧化物-半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特性??MOS管..10月02日
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晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測項目外觀質(zhì)量、性能測試、功..10月02日
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PMOS 場效應(yīng)管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產(chǎn)品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導(dǎo)通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..10月02日
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場效應(yīng)管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應(yīng)場效應(yīng)管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應(yīng)可提供樣品測試和技術(shù)支持。如需更多了解更多型號及詳細信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..10月02日
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31.00元場效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————09月26日
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2.00元MT3205-N MOS管以其低內(nèi)阻、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導(dǎo)體制造工藝，能夠在高頻率下保持低損耗，是電源管理、電機驅(qū)動、開關(guān)電源及高速信號切換等應(yīng)用的理想選..09月11日
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2.00元**低導(dǎo)通電阻**：MT3287/B采用的工藝設(shè)計，實現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關(guān)速度**：得益于其快速的開關(guān)響應(yīng)能力，MT3287/B在高頻應(yīng)用中..09月11日
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2.00元MT3287-N溝道場效應(yīng)管，作為一種增強型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），其核心優(yōu)勢在于其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻以及快速的開關(guān)速度。該器件采用的半導(dǎo)體制造工藝，確保了在高溫..07月29日
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2.00元MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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2.00元MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應(yīng)用設(shè)計的N溝道場效應(yīng)晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導(dǎo)通電阻（RDS(on)）等。這些參..07月29日
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MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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