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1000.00元回收場效應(yīng)管,MOS管，電源IC 20％ 服務(wù)大眾、信守承諾、估價、方便快捷、嚴(yán)格保密為原則 回收庫存電子電工產(chǎn)品電子料 回收電子料編碼器模塊 回收LED光電設(shè)備電子料 ..10月03日 -
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌：美浦森型號：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..10月04日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌：美浦森型號：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..10月04日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù)：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..10月04日
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場效應(yīng)管在不同技術(shù)文獻(xiàn)和應(yīng)用場景中可能有以下多種名稱或分類：1. ?按全稱與縮寫命名??MOSFET?（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）：其英文全稱縮寫，強(qiáng)調(diào)金屬-氧化物-半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特性??MOS管..10月04日
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晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測項目外觀質(zhì)量、性能測試、功..10月03日
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場效應(yīng)管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應(yīng)場效應(yīng)管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應(yīng)可提供樣品測試和技術(shù)支持。如需更多了解更多型號及詳細(xì)信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..10月03日
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PMOS 場效應(yīng)管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產(chǎn)品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導(dǎo)通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..10月03日
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31.00元場效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————09月26日
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2.00元**低導(dǎo)通電阻**：MT3287/B采用的工藝設(shè)計，實現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關(guān)速度**：得益于其快速的開關(guān)響應(yīng)能力，MT3287/B在高頻應(yīng)用中..09月11日
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2.00元MT3205-N MOS管以其低內(nèi)阻、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導(dǎo)體制造工藝，能夠在高頻率下保持低損耗，是電源管理、電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電源及高速信號切換等應(yīng)用的理想選..09月11日
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1.00元供應(yīng)P&N溝道場效應(yīng)管，本產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)量保證，價格優(yōu)惠，歡迎訂購。09月06日
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2.00元MT3287-N溝道場效應(yīng)管，作為一種增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），其核心優(yōu)勢在于其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻以及快速的開關(guān)速度。該器件采用的半導(dǎo)體制造工藝，確保了在高溫..07月29日
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2.00元MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應(yīng)用設(shè)計的N溝道場效應(yīng)晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導(dǎo)通電阻（RDS(on)）等。這些參..07月29日
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2.00元MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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Green Device Available Super Low Gate Charge?Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density Trenchtechnology? TheAP2N10 is the high cell density trenched..02月27日
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2SK3568 產(chǎn)品種類: MOSFET 制造商: Toshiba RoHS: 否 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220FP-3 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極..12月11日
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深圳市恒耀達(dá)電子專業(yè)供應(yīng)原廠原裝正品ST TI ON(安森美） FAIRCHILD仙童 NXP(恩智普） ATMEL IR AXIM CYPRESS 鐵電 ALLEGRO ALTERA AOS 華潤矽威 芯龍 MONRON OMRON等元器件，專業(yè)提供一站..01月15日
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WSD30L68DN 是性能好的溝槽型 P-ch MOSFET，具有的單元密度，為大多數(shù)同步巴克轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了的 RDSON 和柵電荷。WSD30L68DN 滿足 RoHS 和綠色產(chǎn)品要求 EAS ，全功能可靠性得到認(rèn)可。 WS..12月05日
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