隨著二極管制與半導體的結(jié)合其生產(chǎn)材質(zhì)與制作工藝逐步升級，突破了原有光亮、顏色的限制，大量應用藍色二極管、發(fā)光二極管，提升了顯示光亮度。進而提升了LED顯示屏幕在室外環(huán)境中的優(yōu)勢，可適應不同顯示要求，提升LED在不同環(huán)境中的有效價值。對于LED顯示屏性能的評價是綜合考量的結(jié)果，因其相關(guān)性能指標都是密切相關(guān)的，亮度、視角、分辨率等指標相互影響。當前在高密度、全彩色室內(nèi)顯示屏中利用表貼LED器件提升顯示屏獲的視角、亮度性能。

早應用半導體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光（λp=650nm），在驅(qū)動電流為20 毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED產(chǎn)生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

90年代初，發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發(fā)成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區(qū)（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區(qū)域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光。現(xiàn)在，對于InGaN/YAG白色LED，通過改變YAG 熒光粉的化學組成和調(diào)節(jié)熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

近幾年,白光LED的研發(fā)成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發(fā)表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產(chǎn)生138 lm與155 lm(lumen，流明)，他們均使用1mm大小的芯片并驅(qū)動于350mA下;美國LED大廠Cree公司宣布,其白光發(fā)光二極管實現(xiàn)每瓦161lm/W.可見,白光LED在高發(fā)光效率,高照明方面有著誘人的前景.

在LED業(yè)者中，日亞化學是早運用上述技術(shù)工藝研發(fā)出不同波長的高亮度LED，以及藍紫光半導體激光（Laser Diode；LD），是業(yè)界握有藍光LED專利權(quán)的重量級業(yè)者。在日亞化學取得藍色LED生產(chǎn)及電極構(gòu)造等眾多基本專利后，堅持不對外提供授權(quán)，僅采自行生產(chǎn)策略，意圖占市場，使得藍光LED價格高昂。但其他已具備生產(chǎn)能力的業(yè)者相當不以為然，部分日系LED業(yè)者認為，日亞化工的策略，將使日本在藍光及白光LED競爭中，逐步被歐美及其他國家的LED業(yè)者搶得先機，屆時將對整體日本LED產(chǎn)業(yè)造成嚴重傷害。因此許多業(yè)者便千方百計進行藍光LED的研發(fā)生產(chǎn)。