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50年前人們已經了解半導體材料可產生光線的基本知識，個商用二極管產生于1960年。LED是英文LightEmittingDiode（發(fā)光二極管）的縮寫，它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料，置于一個有引線的架子上，然后四周用環(huán)氧樹脂密封，起到保護內部芯線的作用，所以LED的抗震性能好。
早應用半導體P-N結發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光（λp=650nm），在驅動電流為20 毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。
70年代中期，引入元素In和N，使LED產生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。
近幾年,白光LED的研發(fā)成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發(fā)表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產生138 lm與155 lm(lumen，流明)，他們均使用1mm大小的芯片并驅動于350mA下;美國LED大廠Cree公司宣布,其白光發(fā)光二極管實現(xiàn)每瓦161lm/W.可見,白光LED在高發(fā)光效率,高照明方面有著誘人的前景.
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