功率管發(fā)熱
關(guān)于這個(gè)問(wèn)題，也見(jiàn)到過(guò)有人在論壇發(fā)過(guò)貼。
功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。
要注意，大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。
開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決：A、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。

頻率與導(dǎo)通損耗也成正比，所以功率管發(fā)熱時(shí)，要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。
想辦法降低頻率吧!不過(guò)要注意，當(dāng)頻率降低時(shí)，為了得到相同的負(fù)載能力，峰值電流必然要變大或者電感也變大，這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。

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