DTS+TCB預燒結(jié)銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導體材料水漲船高，成為時下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。

新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應用于電動車逆變器SiC導線架技術(shù)為例，導線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術(shù)，

目前燒結(jié)銀技術(shù)主要用于對可靠性和散熱高要求的市場，在引線框架制作上除了要提供高可靠度的鍍銀品質(zhì)以符合燒結(jié)銀的搭接技術(shù)以外，由于燒結(jié)銀的膜厚只有20um-50um，不像傳統(tǒng)的錫膏搭接方式可通過錫膏量的調(diào)整補正搭接面平整度不佳造成的搭接問題，燒結(jié)銀的搭接技術(shù)對于搭接處的公共平面度要求公差只有20um，對于這種復雜的折彎成型式技術(shù)是一大挑戰(zhàn)。

功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。可分為功率IC和功率分立器件兩大類，二者集成為功率模塊（包含MOSFET/IGBT模塊、IPM模塊、PIM模塊）。隨著電力電子模塊的功率密度、工作溫度及其對可靠性的要求越來越高，當前的封裝材料已經(jīng)達到了應用極限。

GVF預燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能夠?qū)㈦娏﹄娮幽K的使用壽命延長50多倍，并確保芯片的載流容量提高50%以上。

在能源效率新時代，SiC開始加速滲透電動汽車、光伏儲能、電動車充電樁、PFC/開關(guān)電源、軌道交通、變頻器等應用場景，接下來將逐步打開更大的發(fā)展空間。