富士IGBT模塊通過幾個關鍵特性實現(xiàn)了這些優(yōu)勢：

?低損耗?：通過優(yōu)化IGBT元件以及二極管元件的厚度，實現(xiàn)了小型化，從而優(yōu)化了元件結構。這降低了變頻器運行時的電力損耗，與以往產品相比，變頻器損耗降低了10%，芯片溫度降低了11℃。

小型化?：利用新開發(fā)的絕緣板，提高了模塊的散熱性能，實現(xiàn)了與以往制品相比約36%的減小，實現(xiàn)了小型化。
?高溫操作?：通過對高可靠性高耐熱封裝和芯片進行優(yōu)化，實現(xiàn)了175℃連續(xù)動作，與過去產品相比可進一步提高35%的輸出。

此外，富士IGBT模塊還廣泛應用于各種電力電子設備中，如UPS、功率調節(jié)器、空調、焊機等，通過其能和高可靠性，改善了功率因數(shù)和DC/AC轉換器電路的性能。特別是，富士電機開發(fā)的RB-IGBT產品，能夠構成雙向開關和3電平變頻器電路，進一步擴展了IGBT模塊的應用范圍和效率。


富士IGBT模塊的設計和制造充分考慮了高可靠性、大功率的需求，適用于各種電力電子應用場景。這些模塊不僅適用于UPS和通用變頻器，還適用于電力鐵路、大型太陽能發(fā)電等需要大范圍轉換器容量的應用。富士IGBT模塊的設計考慮到了基礎設施用途的高可靠性要求，能夠滿足這些領域對電力轉換和控制的能需求。


富士IGBT模塊的產品系列包括分立IGBT、IGBT模塊斬波器、IGBT 2-Pack、IGBT模塊6-Pack以及PIM（Power Integrated Module），這些產品根據(jù)具體應用場景的不同需求，提供了多樣化的解決方案。例如，2-Pack內置有半橋電路，適用于UPS、通用變頻器、電力鐵路、大型太陽能發(fā)電等；而6-Pack則是將3相變頻器電路集成到1個模塊上，便于緊湊地設計主電路。此外，富士還提供了支持T/I型2種3電平電路的IGBT模塊，特別適用于太陽能發(fā)電、不間斷電源裝置等用途，通過采用富士特有的RB-IGBT芯片實現(xiàn)低損耗和率。


IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。